当社はこのほど、米国におけるフラッシュメモリの生産拠点である富士通マイクロエレクトロニクス社(Fujitsu Microelectronics,Inc.:FMI)グレシャム工場(オレゴン州)の生産活動を2002年1月末を目処に停止し、同工場を閉鎖することを決定いたしました。

今後はフラッシュメモリの製造を「富士通エイ・エム・ディ・セミコンダクタ(株)(FASL、会津若松市)」に集中することにより一層製造効率を高め、顧客ニーズに応えるべく事業の展開を図ってまいります。

グレシャム工場は、当社初の海外前工程拠点として、1988年10月より操業を開始、今日まで当社のメモリ生産体制の一翼を担ってまいりました。

同工場は2000年4月より、当社の汎用DRAM製品からの撤退方針に従い、フラッシュメモリへの全面シフトを進めてまいりましたが、2001年初めからのフラッシュメモリ市況の変化、急激な価格の値下がりに伴い、2001年夏以降、大幅な生産調整を実施しておりました。この間、グレシャム工場の今後の方向性につき、幅広い選択肢について検討を重ね、当社のフラッシュメモリの事業パートナーであるAMD社との合弁事業化を含めた再編案を模索してまいりました。しかし、フラッシュメモリ所要は当初見込んでいた2002年後半からの回復は難しく、さらに6ヶ月〜1年の延伸が見込まれるとの認識に立ち、フラッシュメモリ事業での余剰能力削減による製造拠点のさらなる再編が必要との判断に至り、今般、グレシャム工場の閉鎖を決定いたしました。今後、同工場の売却活動を開始するとともに、FMIの清算手続きに入ります。

なお、従来のFMI販売、開発部門は、去る10月1日に分離、独立し、Fujitsu Microelectronics America,Inc.(FMA)として事業を開始しており、引き続き米国での半導体の販売、開発活動を強化してまいります。