欧州に、初のFRAM事業拠点を開設

〜FRAM搭載システムLSIの開発・設計体制を強化〜

富士通株式会社(以下富士通)と、富士通マイクロエレクトロニクスヨーロッパ (以下 FME, 本社：独ドライアイヒブフシュラク州，社長：鈴木豊)は、FRAM (*1)事業における、R&D、およびマーケティングを行う欧州拠点として、フランスに『FME FRAM センタ』を10月15日に開設し業務を開始いたします。

FRAM製品の有望市場である多目的ICカードにおいて、欧州地域の販売数量は、現在、世界の8割のシェアを占めています。なかでもフランス市場は、ICカードの標準化と供給体制などで世界の牽引役となっています。富士通とFMEは、本センタを新設することにより、ICカード市場に向けてFRAM製品の普及を促進してまいります。

ICカード市場は、2001年度は全世界で約400億円、2004年までに年率30%以上の成長が見込まれています(富士通調べ)。今後ICカード市場では、より高度なセキュリティ技術とデータの高頻度書き換えが要求される多目的ICカードや、高速読み書きを行える非接触ICカードへの需要が高まることが予想されております。FRAMは、現在ICカードに搭載されているEEPROM(*2)と比較(当社比)して、書き込み速度約1,000倍、書き込み時消費電力約100分の1、書換え回数10万倍以上という優れた特長があり、これらの要求に十分対応できます。

当社は今後も、FRAM技術に、高度なセキュリティ技術と、ソフトウェア技術を融合し、ICカードのさまざまな要求にお応えできるデバイスソリューションをいち早く提供してまいります。

【FME FRAM センタについて】

・名称：	『富士通マイクロエレクトロニクス FRAMセンタ』(FME100%子会社)
・住所：	105, Rue Jules Guesde, 92300 Levallois Perret, France (フランスルバロワペレ 92300 ジュールゲスド通り 105番地)
・従業員数：	当初7人、2004年度25人
・業務内容：	FRAMプロダクトのサポート、およびアプリケーション開発ツールのサポート

【用語説明】

*1 FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)：: 強誘電体材料を利用した電源を切ってもデータが消えない不揮発性メモリです。
低消費電力で、高速書込み、高頻度書き換えが行えます。
*2 EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)：: 不揮発性半導体メモリの一種です。

【商標について】

FRAMはラムトロン社の登録商標です。
その他の製品名などの固有名詞は、各社の商標または登録商標です。

以上

	[ PRESS RELEASE ]	2001-0197 平成13年10月15日富士通株式会社富士通マイクロエレクトロニクスヨーロッパ


	プレスリリースに記載された製品の価格、仕様、サービス内容、お問い合わせ先などは、発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。あらかじめご了承ください。ご不明な場合は、富士通お客様総合センターにお問い合わせください。